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RFMW支持IXYS RF的高电流，高速驱动器

贴在 2013年6月21日
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IXYS RF IXRFD631 MOSFET驱动器RFMW, Ltd.宣布IXYS RF型号的设计和销售支持IXRFD631，一种高电流CMOS门驱动器，专门设计用于驱动D类和E类高频射频应用的mosfet，以及其他需要超快上升和下降时间或短最小脉冲宽度的应用。的ixy射频IXRFD631在输入端采用开尔文接地连接，允许使用共模扼流圈以避免地跳问题。可降低30安培的峰值电流IXRFD631可产生小于4ns的电压上升和下降时间，最小脉冲宽度为8ns。驱动输入与TTL或CMOS兼容，在整个工作范围内完全不锁存。设计具有小的内部延迟，交叉传导或电流穿透几乎被消除。低静态电流和宽工作电压范围使IXYS RFIXRFD631理想的应用，如脉冲发生器，脉冲激光二极管驱动器和开关模式电源，低电感RF封装最小化杂散引线电感，以获得最佳的开关性能。

关于作者
John Hamilton在射频和微波技术、应用、技术支持和市场营销方面有超过40年的经验。他是RFMW的营销副总裁，拥有多个学位和测试和测量的背景。

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