RFMW从Triquint半导体推出1200微米离散FET

发表于 2013年6月18日

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RFMW，Ltd。宣布对Triquint Semiconductor的设计和销售支持TGF2120，一个离散的1200微米GaAs Phemt FET。适用于0.41 x 0.54×0.10mm芯片的可供选择，适用于共晶模具，TGF2120在没有通孔的情况下构造，从而允许自偏置和消除对负电源电压的需求。这TGF2120设计使用Triquint经过验证的0.25um PHEMT过程，该过程优化了高漏极偏置操作条件下的功率和效率。triquintTGF2120提供31dBM P1DB，具有11dB相关的增益和功率增加效率（PAE）为57％。氮化硅，保护性外涂层提供了环境鲁棒性和划痕保护。应用包括军用，高级防御和航空航天，测试和测量和商业，宽带放大器，最高可达K波段，其中需要高效率和线性。这TGF2120是一家高效率Phemt电源FET系列的一部分，提供广泛的输出功率。