高线性GAAS MESFET

发表于 2021年11月9日

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微波技术MWT-7F GAAS MESFET在500 MHz至26 GHz频率范围内提供21 dbm P1DB，以获得12 GHz的21 dbm P1DB。

ld体育下载RFMW宣布从微波技术（MWT）提供离散设备。这MWT-7FGAAS MESFET在12 GHz时提供21 dBM P1DB，非常适合在500 MHz至26 GHz频率范围内需要高增益和中线性功率的应用。小信号增益为15 dB。提供365 x 250微米芯片，MWT-7F可以用于军事和HI-REL交换设计中，也可以提供多种包装配置，所有这些配置都在150 C频道温度下的MTBF值优于1×108小时。