ld体育下载RFMW宣布设计和销售支持双路径GaN晶体管。支持20瓦或40瓦设计QPD0405型在一个7 x 6.5毫米的塑料封装中包含两个晶体管。这种SiC HEMT上的双路径分立GaN单级功率晶体管的工作频率为4.4至5.0 GHz。适用于5G大规模MIMO BTS中的对称Doherty设计,在+48 V运行时可提供21.9瓦的P3dB功率。设备增益为13.7db。这个QPD0405型还支持有源天线,可以用作微型和宏基站驱动器。
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