通用射频驱动设备提供寿命

在射频组件供应链世界中，一些特定的设备开发了一个基础非常广泛的客户支持网络和大量使用。它们往往会在生产中存在很长时间，而不需要任何寿命支持程序。这些典型的通用驱动设备来自成熟的射频功率晶体管供应商，设计用于各种射频应用。它们不依赖于任何客户或终端应用程序来支持它们的数量，而且一旦这些部件在整个射频行业得到广泛、普遍的接受，工程师倾向于将这些知名的驱动程序设计到更新的产品设计中。

评估委员会由Ampleon提供

具有非常可预测的射频性能，这些通用驱动晶体管是一个已知的实体，具有稳定和可靠的供应链，在未来的道路上没有意外。从OEM制造的角度来看，只要特定的组件在现有和稳定的生产线上以合理的数量运行，通常他们认为没有必要结束这些行业范围内的流行设备的寿命。

NXP公司提供

即使有晶圆生产基地搬迁或整合，OEM也会选择将通用设备转移到更新的工艺或新的晶圆厂，以取悦广大客户。

下面的列表展示了一些稳定的、经过尝试的、真实的设备，它们有望通过广泛的、多种客户市场基础实现自然寿命。

如果RFMW销售团队被要求提供驱动程序推荐，他们可能会选择首选的，甚至是推荐的通用驱动程序设备。如果您需要更多的信息或想验证您的选择，请随时与RFMW的技术支持团队联系。他们会在这里帮助你处理所有的技术问题。

关键通用驱动程序属性:

• 非常的宽带
• 相对较低的功率
• 非常好的性价比解决方案
• 高度线性

过去的例子:

• MMG30145V, 25 dBm, 40 MHz到4000 MHz, GaAs MMIC
• AFT27S006N28V, 6W, 10 MHz至3600 MHz, LDMOS
• MW7IC008N28V, 8W, 100 MHz到1000 MHz, LDMOS
• AFT27S010N28V, 10W, 10mhz至3600mhz, LDMOS
• BLP10H60550V, 5W, 1 MHz到1400 MHz, LDMOS
• BLP10H61050V, 10W, 1 MHz到1400 MHz, LDMOS

新设计的推荐例子:

• MMG38151B5V, 13 dBm, 1 MHz到6000 MHz, InGaP HBT MMIC
• MMG3H21N5V, 21 dBm, 1 MHz到6000 MHz, GaAs MMIC
• A5G35S004N50V, 4W DC至6000mhz, GaN
• AFIC901N7-12.5V, 4W, 1.8 MHz至941 MHz, LDMOS
• AFM906N7-12.5V, 6W, 1.8 MHz至941 MHz, LDMOS
• AFM907N7-12.5V, 7W, 1.8 MHz至941 MHz, LDMOS
• MRFE6VS25N/L 28V, 10W, 10mhz至3600mhz, LDMOS
• AFIC31025N32V, 25W, 2400 MHz至3100 MHz, LDMOS
• MRFX035H65V, 35W, 1.8 MHz到512 MHz, LDMOS
• A3T09S100N 28V, 100W, 10 ~ 3600 MHz, LDMOS
• BLP35M80532V, 5W, 1 MHz到3500 MHz, LDMOS
• BLP27H810 32V, 10W, 1 MHz ~ 2700 MHz, LDMOS
• BLP15H9S1050V, 10W, 1 MHz到2000 MHz, LDMOS
• AFT35FE 50V, 23W, 32V, 9W, 1 MHz至650 MHz LDMOS
• BLP15M93032V, 30W, 1 MHz到200 MHz, LDMOS
• BLP15H930 50V, 30W, 1 MHz至200 MHz, LDMOS