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RFMW从Triquint半导体推出400微米离散FET
发表于
2013年5月10日
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 RFMW，Ltd。宣布对Triquint半导体的设计和销售支持TGF2040，一个离散400微米GaAs Phemt FET。使用Triquint设计的经过验证的0.25um Phemt工艺，优化了高漏极偏置操作条件下的电源和效率。triquintTGF2040支持电路设计至20GHz，高达26dBm P1DB，高达13dB和55％的电力增加效率（PAE）。这TGF2040在没有通孔的情况下构造，从而允许自偏置和消除对负电源电压的需求。减少了电源要求，其在诸如无人机之类的机载应用中特别有用。除了Hi-Rel Defense和Aeropace，额外的应用包括测试和测量和商业，宽带放大器，需要高效率和线性。triquintTGF2040用氮化硅可用，保护大涂层，提供环境稳健性和划痕保护水平。这TGF2040是一家高效率Phemt电源FET系列的一部分，提供广泛的输出功率。 |
| 部分 | 12 GHz | DC. | 门 | 芯片尺寸 | ||||||||
| VDS = 8V，IDS = 50％IDS | VDS = 2V |
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| P1DB. | G1DB. | PAE. | NF. | IDS. | GM. | VP. | BVGD. | BVGS. | Rth. | |||
| TGF2018 | 22. | 14. | 55. | 1 | 58. | 70 | -1.0 | -15 | -15 | 88. | 0.25×180. | 410×340. |
| TGF2025 | 24. | 14. | 58. | 0.9 | 81. | 97. | -1.0 | -15 | -15 | 62.5 | 0.25×180. | 410×340. |
| TGF2040 | 26. | 13. | 55. | 1.1 | 129. | 155. | -1.0 | -15 | -15 | 60. | 0.25×400. | 410×340. |
| TGF2060 | 28. | 12. | 55. | 1.4 | 194 | 232. | -1.0 | -15 | -15 | 54. | 0.25×600. | 410×340. |
| TGF2080* | 30. | 11.5. | 60. | - | 259. | 310. | -1.0 | -15 | -15 | 45. | 0.25×800. | 410×540. |
| TGF2120* | 32. | 11. | 60. | - | 388. | 464. | -1.0 | -15 | -15 | 38. | 0.25×1200. | 410×540. |
| TGF2160* | 33. | 10.5 | 63. | - | 517. | 619. | -1.0 | -15 | -15 | 32. | 0.25×1600. | 410×340. |
