RFMW,Ltd。宣布对Triquint Semiconductor的设计和销售支持TGF2025高效异质结电源FET。这种离散的装置利用Triquint经过验证的标准0.25um功率Phemt生产过程,以优化微波功率和高效率排水偏置操作条件。
这TGF2025为P1DB提供24dBM典型输出功率,增益为14dB和58%的电力增加效率。这种性能使TGF2025适用于高型电路和宽带商业或军事子系统的高效应用。可用作死亡,TGF2025具有带氮化硅的保护性外涂层,为混合动力设计提供环境鲁棒性和划痕保护。
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