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RFMW介绍Triquint半导体的180微米Phemt FET

发表于 2013年4月3日
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Triquint TGF2018离散FET

RFMW，Ltd。宣布对Triquint Semiconductor的设计和销售支持TGF2018，从DC到20 GHz操作的离散180微米PHEMT。这TGF2018设计使用Triquint经过验证的标准0.25um Power Phemt生产过程。该过程采用先进的技术，可在高漏极偏置操作条件下优化微波功率和效率。

这TGF2018通常在P1DB下提供22 dBm的输出功率，增益为14dB和55％的加压效率，在1 dB压缩下。这种表现使得TGF2018适用于高效应用。具有氮化硅的保护性外涂层提供了一种环境稳健性和刮擦保护。

关于作者
John Hamilton在RF和微波技术，应用，技术支持和营销方面拥有40多年的经验。他是RFMW营销副总裁，拥有多度，并在测试和测量中具有背景。

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