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RFMW支持来自Triquint半导体的120W GaN晶体管
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2013年9月4日
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RFMW,Ltd。宣布对SIC晶体管上的Triquint Semiconductor宽带GaN的设计和销售支持。triquintT1G4012036-FL.是一个120 W峰(24 W AVG。)(P3DB)离散晶体管在法兰封装,而TriquintT1G4012036-FS.提供无耳配置。这两种器件都从DC到3.5 GHz工作,并从36V电源提供> 50%的排水效率。线性增益高达15dB。两包包都提供低热阻和RF输入T1G4012036-FL.和T1G4012036-FS.预先匹配的S频段操作。T1G4012036的应用包括宽带或窄带放大器,民用和军用雷达,通信系统和干扰。
