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NXPS通用AIRFAST GAN晶体管

发表于 2021年5月26日
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NXP的A3G26D055NT4 GAN ON SIC离散RF晶体管可从100到2690 MHz提供55瓦的峰值电源

ld体育下载RFMW宣布对SIC离散晶体管的多功能甘甘罩的设计和销售支持。恩智浦的A3G26D055NT4RF晶体管从100到2690 MHz提供55瓦的峰值功率，以便从蜂窝基础设施和RF能量到宽带通信等应用，包括5G MMIMO无线电。经营48V供应，A3G26D055NT4具有预匹配的RF输入，吹来50％效率和> 13 dB的增益。GaN上的较高功率密度SIC可以实现高输出阻抗，使设备更容易匹配设备带宽，并确保冷却通道温度以获得更高的可靠性。

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关于作者
John Hamilton在RF和微波技术，应用，技术支持和营销方面拥有40多年的经验。他是RFMW营销副总裁，拥有多度，并在测试和测量中具有背景。

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