高能耗的砷化镓MESFET MwT

微波技术(MwT) MwT-9F70砷化镓MESFET提供26.5 dBm P1dB 12 GHz,适合应用要求高增益和介质线性功率在500 MHz 26 GHz频率范围

ld体育下载RFMW宣布离散设备从微波技术的可用性(MwT)。的MwT-9F70砷化镓MESFET提供26.5 dBm P1dB 12 GHz,适合应用要求高增益和介质线性功率在500 MHz 26 GHz频率范围。小信号增益是11 dB。-70年陶瓷外壳,提供了MwT-9F70可用于军事和高能耗交换设计,也可以在死亡和其他包装配置,所有与MTBF值比1×108小时在150摄氏度温度通道。


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