高rel应用的GaAs MESFET

微波技术MwT-9F GaAs MESFET在12 GHz提供26.5 dBm P1dB,在500 MHz至26 GHz频率范围内提供高增益和中等线性功率。

ld体育下载RFMW宣布可从微波技术(MwT)离散设备。的MwT-9FGaAs MESFET在12 GHz提供26.5 dBm P1dB,非常适合500 MHz至26 GHz频率范围内需要高增益和中等线性功率的应用。小信号增益为11 dB。在一个485 x 315微米的芯片,提供MwT-9F可用于军事和高可靠性SWaP设计,也有多种封装配置,所有的MTBF值在150℃的通道温度下优于1×108小时。


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关于作者
John Hamilton在射频和微波技术、应用、技术支持和营销方面拥有超过40年的经验。他是RFMW市场营销副总裁,拥有多个学位,并拥有测试和测量背景。

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