NXP GaN晶体管支持RF能量应用

发表于 09年9月20日

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ld体育下载RFMW宣布对高增益，高效晶体管的设计和销售支持。恩智浦的MRF24G300HSR5SIC晶体管上的RF Power GaN为ISM频段，RF能量应用提供330瓦CW功率。它是第一种超出磁控管效率的固态装置，用于工业加热应用，焊接和干燥。其他潜在用途包括医疗透疗和微波消融。经营48V供应，MRF24G300HSR5具有预先匹配的RF输入，效率为73％，增益> 15 dB。GaN上的较高功率密度SiC使得能够高输出阻抗，使设备更容易匹配频段，并确保更酷的通道温度以获得更高的可靠性。