双路开关/ LNA用于5G AAS

发表于 2019年7月10日

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标签：双路径RF开关/ LNA那F0453B.那IDT.

ld体育下载RFMW宣布从集成设备技术，Inc.（IDT）的高性能有限元素的设计和销售支持。这F0453B.是集成的双路径，RF前端开关和LNA，具有高达34 dB的增益和1.35 dB噪声系数。该器件专为主动天线系统（AAS）和MIMO系统，以及3400至3800 MHz的MIMO系统，支持3.3V系统设计。OIP3为23 dBm，具有高增益模式的P1DB为15 dBm。这F0453B.基于SOI技术，为GaAS设备提供较低的成本替代品，同时保持高线性度和低功耗。包装为小，5 x 5 mm qfn。