65V射频功率晶体管可实现更高的功率密度

贴在 2017年9月19日

由: ld体育下载

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标签: 1800 w trasitsor，MRFX1K80H，NXP

RFMW, Ltd.宣布为NXP提供设计和销售支持MRFX1K80H晶体管。的MRFX1K80H在1.8 - 470兆赫的工作范围内，可输出1800瓦的连续波功率。利用65V电源，该晶体管设计为易于使用的不匹配的射频输入和输出端口，可以使用单端或推挽配置。更高的电压可以实现更高的功率密度，从而减少大功率应用中的晶体管数量，如等离子蚀刻、射频烧蚀、工业加热、FM/DAB无线电广播和航空航天。更高的电压也可以增加输出功率，同时保持合理的输出阻抗和减少系统中的电流损耗。根据频率和应用情况，漏极效率>80%，而增益在低至中20dB区域。能够使用CW或脉冲，这种坚固的LDMOS晶体管可以承受驻波比>65:1在所有相位角。