高增益,45W,S频带GaN晶体管

来自Triquint的SiC晶体管45W GaN。T1G4004532-FL和T1G4004532-FSRFMW,Ltd。宣布从TriQuint上的两个新的45W GaN的设计和销售支持。这T1G4004532-FL.(法兰)和T1G4004532-FS.(无耳)是宽带,直流到3.5GHz设备,提供17dB的收益,几乎是竞争GaN设备的两倍。两个晶体管都是为S波段操作匹配的输入和两个T1G4004532-FL.T1G4004532-FS.从32V电源操作。在Triquint的TQGan25工艺上制造,该装置利用低热阻基础材料,并安装在工业标准包装中,用于雷达,EW和通用,宽带应用。

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