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吸收SP4T提供高隔离
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2014年6月16日
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RFMW, Ltd.宣布为Peregrine Semiconductor的SP4T开关提供设计和销售支持，PE42442．的PE42442提供高隔离和低插入损耗的最佳组合为50欧姆吸收SP4T, 52dB隔离和1.15dB插入损耗在2.7GHz。在低至2.3V的电源电压下工作PE42442保持+58dBm IIP3，允许更低的电源轨道和降低功耗。这种Peregrine开关使LTE基础设施设计能够利用先进的线性化技术，最大限度地提高频谱效率和数据吞吐量，如单个DPD接收器采样多个传输路径。Peregrine UltraCMOS消除了对砷化镓开关所需的直流阻塞电容器的需求，从而简化设计并最大限度地扩大电路板空间。UltraCMOS还为所有RF引脚提供4KV HBM ESD保护。的外来的PE42442包装为4mmx4mm QFN。