RFMW支持来自Triquint半导体的10W GaN晶体管

发表于 2013年9月9日

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RFMW，Ltd。宣布设计和销售支持T1G6001032-SM.，陶瓷封装，10W峰（P3DB）功率晶体管使用Triquint Semiconducth的经过验证的氮化镓（GaN）制造方法制造。提供来自Triquint的TQGan25工艺技术的广泛瞬时带宽，T1G6001032-SM.从DC到6GHz评定。中带线性增益> 17dB，效率超过50％。在32V下工作，只有50mA的静态漏极电流，T1G6001032-SM.在商业和军用雷达，通信收发器，航空电子和宽带放大器设计中找到应用。Triquint在陶瓷，5×5mm QFN中包装该无与伦比的晶体管，可实现最小的耐热性和易用性。