RFMW介绍Triquint半导体的30W，6GHz GaN晶体管

发表于 2013年1月4日

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RFMW，Ltd。宣布对Triquint Semiconducts的T1G6003028-FL，DC - 6GHz GaN晶体管提供30W P3DB的设计和销售支持，高达40W P3DB Midband。与某些竞争对手相比，P3DB的增益> 11dB需要来自驱动程序阶段的一半电力。线性增益> 14dB。T1G6003028-FL使用28V电源，仅200mA电流。整体效率高达60％。-FL法兰封装提供低热电阻，易于螺栓向下。Triquint / RFMW也可提供，是T1G6003028-FS中的无耳包。两位Triquint晶体管都是军用和平民雷达，干扰和通信系统的理想选择，其中需要高增益和高效率。T1G6003028-FL和T1G6003028-FS可从RFMW，Ltd。提供

T1G6003028-FL.：法兰包装，30W，28V，DC-6GHz GaN RF功率晶体管
T1G6003028-FS.：无耳封装，30W，28V，DC-6GHz GaN RF功率晶体管