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用于l波段雷达的GaN IMFET
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ld体育下载RFMW宣布为Qorvo提供完全匹配的GaN IMFET设计和销售支持。的QPD1006提供从1.2到1.4 GHz的450瓦脉冲射频功率,以及大于300瓦的功率输出用于CW应用。在SiC HEMT器件上,这种内部匹配的离散GaN的线性增益为17.5 dB。支持50V脉冲应用和45V连续波,器件封装在低热阻封装中,非常适合军用和商用雷达。 |
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