2.6GHz晶体管,从RFMW输出360W

Qorvo QPD2795 GaN power transistor with 360W P3dB from 2.5 to 2.7GHz RFMW LtdRFMW, Ltd.宣布设计和销售支持一种高效率,高功率晶体管从Qorvo。的QorvoQPD2795GaN功率晶体管具有360W的P3dB,适用于频带7和频带41无线通信基础设施和2.5至2.7GHz频率范围的微单元设计。具有72%的典型漏极效率和22dB的线性增益QPD2795从48V电源引出700mA。Qorvo将这个晶体管封装在一个耳形的陶瓷空腔封装中。

关于作者
John Hamilton在射频和微波技术、应用、技术支持和市场营销方面有超过40年的经验。他是RFMW的营销副总裁,拥有多个学位和测试和测量的背景。

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