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RFMW的4GHz GaN on SiC晶体管提供10W Psat

贴在 2017年4月12日
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Qorvo QPD1010 15W GaN晶体管从直流到4GHz提供3x3mm QFN封装RFMW公司宣布为Qorvo的设计和销售提供支持QPD1010GaN在SiC上，10W晶体管封装在3x3mm塑料QFN中，从DC到4GHz运行。服务于雷达，军事通信，航空电子设备，干扰器和宽带放大应用QPD1010提供高增益，高效率，低成本和小尺寸的组合，使其成为一个理想的无与伦比的晶体管。在28-50V的偏置电压下工作，功率增加效率高达70%。小信号增益额定为25dB。

关于作者
John Hamilton在射频和微波技术、应用、技术支持和营销方面拥有超过40年的经验。他是RFMW市场营销副总裁，拥有多个学位，并拥有测试和测量背景。

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