RFMW的15W GaN晶体管跨越4GHz

Qorvo QPD1009 15W GaN晶体管,从直流到4GHz,采用3x3mm QFN封装RFMW有限公司宣布为Qorvo GaN on SiC晶体管提供设计和销售支持,该晶体管服务于雷达、mil通信、航空电子、干扰机和宽带放大器应用。这个QPD1009是一个15W晶体管,封装在3x3mm塑料QFN中,工作频率从直流到4GHz。在28-50V的偏置电压下工作,功率增加效率高达72%。小信号增益额定为24dB。这种高增益、高效率、低成本和小尺寸的组合使得QPD1009理想的无与伦比的晶体管。

关于作者
约翰·汉密尔顿在射频和微波技术、应用、技术支持和营销方面拥有40多年的经验。他是RFMW的营销副总裁,拥有多个学位,具有测试和测量方面的背景。

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