GaN晶体管提供RFMW 73%的PAE

贴在 2016年2月17日

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RFMW, Ltd.宣布为Qorvo提供设计和销售支持TGF3021-SMGaN晶体管提供超过30瓦的P3dB输出功率。功能从30MHz到4GHzTGF3021-SM是一种基于SiC的离散GaN HEMT，支持多种高功率应用，如LMR无线电、商业和军事雷达、射频干扰器和测试仪器。PAE具有连续波和脉冲两种性能，典型PAE为72.7%。的QorvoTGF3021-SM操作从32伏电源，并提供在一个3x4mm塑料QFN包。中频线性增益，当调谐为功率，是>19dB。