RFMD推出全球首款用于射频功率晶体管的6英寸GaN-on-SiC晶圆

贴在 2013年9月19日

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RFMD宣布推出世界首款6英寸GaN-on-Silicon硬质合金(SiC)晶圆，用于制造军用和商用射频功率晶体管。RFMD是将所有氮化镓利用其现有的高产量、6英寸砷化镓铸造厂，生产和开发6英寸直径的晶圆，以降低平台成本的增长氮化镓设备市场。据行业分析人士称氮化镓到2017年，微电子市场预计将增长两倍以上，达到3.34亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%。这一市场增长来自于军事(雷达、电子战、通信)和商业(电源管理、蜂窝网络、有线电视、陆地移动无线电)应用。