最新消息

RFMW介绍IXYS RF的高速、大电流驱动器

贴在 2013年6月10
由:
评论:0
标签: ，，，，，，，，，，，

IXYS IXRFD630高电流驱动器

的IXRFD630从ixy射频。这款高速、高电流CMOS门驱动器是专门设计用于驱动D类和E类高频射频应用以及其他要求超快上升和下降时间或短最小脉冲宽度的应用的mosfet。的ixyIXRFD630可以产生30毫安的峰值电流，同时产生小于4毫安的电压上升和下降时间，最小脉冲宽度为8毫安。驱动输入与TTL或CMOS兼容，在整个工作范围内完全不锁存。设计具有小的内部延迟，交叉传导或电流穿透几乎被消除。低的静态电流和宽的工作电压范围使IXRFD630在性能和价值上无可比拟。

表面安装IXRFD630封装在一个低电感RF封装中，以最小化杂散引线电感，在诸如脉冲发生器、脉冲激光二极管驱动器和开关模式电源等应用中实现最佳开关性能。

关于作者
John Hamilton在射频和微波技术、应用、技术支持和市场营销方面有超过40年的经验。他是RFMW的营销副总裁，拥有多个学位和测试和测量的背景。

相关的帖子

RFMW的2021年产品导航指南

贴在 2021年3月15日
， 通过

双路晶体管支持对称Doherty

贴在 2020年10月08
， 通过

mmWave GaN PA支持5G

贴在 2020年9月21日
， 通过

RFMW为射频能源技术创造资源

贴在 2020年3月23日
， 通过

留下一个回复

乐动全站APPRFMW有限公司联系。

  1. 名称*
    请输入您的名字
  2. 电子邮件*
    *请输入有效的电子邮件地址
  3. 信息*
    *请输入信息