RFMW介绍TriQuint半导体的35W GaN晶体管

贴在 2013年1月04

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RFMW, Ltd.宣布为TriQuint Semiconductor的T1G4003532-FL, DC - 3.5GHz GaN晶体管提供设计和销售支持，最高可提供37W P3dB。P3dB的增益是>13dB，与一些竞争对手相比，需要从一个驱动级一半的功率。线性增益为>16dB。T1G4003532-FL使用32V电源和只有150mA的电流。整体效率为>53%。fl法兰封装提供低的热阻，很容易用螺栓固定下来。T1G4003532-FS还提供了一个无耳包。这两种晶体管都是需要高增益和高效率的军用和民用雷达、干扰机和通信系统的理想选择。T1G4003532-FL和T1G4003532-FS均可在RFMW, Ltd.现货供应。

T1G4003532-FL:法兰封装，35W, 32V, DC-3.5GHz GaN射频功率晶体管
T1G4003532-FS:无耳封装，35W, 32V, DC-3.5GHz GaN射频功率晶体管