产品选择:RFMW专家Qorvo UJ4SC075005L8S 5.4莫姆750 v创4 SiC场效应晶体管

是什么让你选择Qorvo UJ4SC075005L8S 5.4莫姆750 v创4 SiC场效应晶体管特性作为一个产品吗?这个产品如何区分从他人和它提供什么价值?

Qorvo的UJ4SC075005L8S5.4莫姆750 v创4 SiC场效应晶体管提供超低Rds(上)和无与伦比的性能优点的主要人物(FOM)导通电阻和输出电容。750 v评级提供了增强的瞬态保证金/类似600 - 650 v电压额定设备。此外,新的收费(TO-Leadless)包提供了一个足迹开尔文源连接高速切换和小于D2PAK表面装配包。先进制造技术包括烧结模附加结果在一个行业领先的连接情况下热阻为0.1°C / W。

UJ4SC075005L8S的关键特性和规格是什么?

Qorvo UJ4SC075005L8S Gen 4 SiC场效应晶体管特性:

• 750 v
• mΩRds(上)= 5.4
• RꝊjc = 0.1°C / W
• vg = + 15 v / 0 v, v (max) + / - 20
• Vg (th) = 4.8 v
• 烧结模连接
• 新收费(TO-Leadless)包
• 开尔文源连接
• 588年一个脉冲电流额定值
• Tjmax = 175°C

3所示。共同市场和应用程序是什么?

UJ4SC075005L8S的典型应用包括:

• 固态继电器和断路器
• PFC / AFE
• 电动汽车充电
• 光伏逆变器
• 开关电源(smp)
• 马达驱动器
• 感应加热