DLI“V系列”电容提供优质旁路滤波

RFMW,Ltd。宣布介质实验室(DLI)的高频,旁路电容器的可用性。单层电容器(SLC)的V系列是有线可接定的,适用于GaN和GaAS放大器应用,其中小尺寸和微波性能是井执行电路的关键。在紧凑型,30 x 30密耳包装中提供宽带抑制,设备如v30bz472m1sx.,4.7 NF电容,从电路中的直流偏置线分离RF信号,设计或从开关电源过滤出噪声。V系列电容器提供高达6倍的标准替代品,设计为提供至少27 dB的宽带抑制至40 GHz。具有X7R温度稳定性,典型应用包括DC阻塞,RF旁路,过滤,调谐和耦合。

关于作者
John Hamilton在RF和微波技术,应用,技术支持和营销方面拥有40多年的经验。他是RFMW营销副总裁,拥有多度,并在测试和测量中具有背景。

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