50V GaN晶体管从RFMW提供200W

Qorvo QPD3601 GaN功率晶体管的P3dB为180W,从3.4至3.6GHz RFMW LtdRFMW, Ltd.宣布设计和销售支持Qorvo的高效率、高增益晶体管。的QorvoQPD3601GaN功率晶体管具有180W和200W Psat的P3dB,用于3.4至3.6GHz频率范围内的Band 42无线通信基础设施和微单元设计。典型的漏极效率为58%,线性增益为22dBQPD3601从50V电源提取420mA。Qorvo提供的这种晶体管在一个耳,陶瓷,空气腔封装。

关于作者
John Hamilton在射频和微波技术、应用、技术支持和市场营销方面有超过40年的经验。他是RFMW的营销副总裁,拥有多个学位和测试和测量的背景。

相关的帖子

留下一个回复