GaN晶体管的RFMW脉冲迷你开关

发表于 2017年2月14日

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RFMW，Ltd。宣布设计和销售支持392P0000，来自XSYSTOR，INC。的12个AMP脉冲开关392P0000MOS型开关放置在GaN晶体管和电源的漏极障碍之间。它适用于XSYSTOR 100和200系列控制器来保护，操作和调制GAN设备。该装置额定电压为28至80V，具有非常低的RDS。该微小开关的I / O端口是用于0.05“间距的焊点的Castellated，并且该模块可以放置在RF流的任何方向上，以便于高速，脉冲动力系统的GaN放大器集成。时钟速度上升和秋季时间与<200nsec一样快。工作温度为-40至85摄氏度指定，但能够承受175摄氏度，具有降级电压和电流容量。